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三星FinFET技术侵权案宣告和解:Intel此前已付钱

2020-09-15/ 巩义新媒体/ 查看: 214/ 评论: 10

摘要FinFET(鳍式场效应晶体管)在当前的晶圆代工领域可谓是大放异彩的核心技术,台积电甚至打算一路用到3nm时代。
 

一本道线dvFinFET(鳍式场效应晶体管)在当前的晶圆代工领域可谓是大放异彩的核心技术,台积电甚至打算一路用到3nm时代。

不过,不为认知的是,三星在过去4年的时间内,深陷FinFET专利侵权案中,直到最近才了结。

官司的原告是韩国科学技术院(KAIST),其在2001年在美国和韩国提交了FinFET技术相关专利,由韩国科学技术院与首尔大学教授Lee Jong-ho合作开发。

2016年11月29日的时候,韩国科学技术院在美国德克萨斯对三星、高通和格芯(GlobalFounderies)提起了FinFET专利侵权诉讼。据说,Intel是乖乖交过了相关“保护费”。

2018年6月和2019年2月,KAIST先后两次起诉三星,声称后者生产的7nm、8nm、10nm、11nm、14nm手机应用处理器均涉侵权之列,要求4亿美元赔偿。今年2月,法院判令三星赔偿2亿美元。

一本道线dv目前该案已和解,和解细节不详。


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